轻松拍摄敏感样品
可拍摄含水及电子束流敏感样品
高性能综合型
钨灯丝扫描电子显微镜
SEM3200
SEM3200 是一款综合能力优秀的通用型立式钨灯丝扫描电镜。独特的电子枪双阳极结构，保证了低电压下的分辨率和更好的图像信噪比。另外有诸多的可选配附件选择，使得SEM3200成为了一款应用广泛的综合分析仪器。
电话咨询
立即专家对话
功能丰富
用户友好的操作界面
化繁为简
流畅省心的电镜使用体验
实时监测
双重防碰撞
强大的扩展性
兼容第三方附件
技术特点
双阳极结构
中间阳极处于韦氏帽和阳极之间，在低压下，可提高电子束的拔出效率，分辨率可提升10%，信噪比可提升30%。
低真空模式一键切换
> 提供 5~180 Pa（免光阑）与 180~1000 Pa（配压差光阑）两段模式，从容应对各类复杂样品的检测需求。
> 特殊设计的物镜真空腔体，低真空分辨率仍能保持在 3 nm@30 kV，确保绝缘材料也能获得清晰的表面细节。
> 利用气体电离原理有效中和表面荷电，非导电样品无需喷金即可直接进样，大幅缩短检验周期并避免掩盖表面真实纹理。
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扩展功能
颗粒和孔腺分析软件
采用的算法可对多种目标检测和分割，适用不同的颗粒和孔隙类样品。可完成颗粒和孔隙统计的定量分析，可应用于材料科学、地质科学、环境科学等领域。
> 使用Mask-RCNN目标检测与实例分割算法，无需调参即可精准识别图像中的粒子
> 经典分水岭算法及集合轮廓非凸切割法针对粘连重叠粒子的精准切割
> 颗粒物统计和孔隙分析两种模式
> 多种形态学信息统计分析与导出，如粒度数量，平均面积，粒径，孔隙率等
（Mask-RCNN：Mask Region-based Convolutional Neural Network是一种用于目标检测和实例分割的深度学习模型）
软件开发工具包（SDK）
提供了一套控制扫描电镜的接口，如图像采集、工况设置、开关机、位移台控制等。简明的接口定义，可快速开发特定的电镜运行脚本和软件，实现自动追踪感兴趣区域、工业自动化采集、图像漂移矫正等功能。可进行硅藻自动分析、钢铁夹杂物、清洁度分析、原材料控制等特色软件的开发。
> 支持常用编程语言，如C++、Python、C#……
> 完善的接口定义和说明文档
> 提供C++和Python调用案例
> 可实现扫描电镜的全部功能控制
应用案例
电子半导体
在半导体行业内，制程工艺会伴随各种微观缺陷，为了保障芯片的高良率，会引入专业的微观表征设备进行检测，其中利用扫描电镜进行高分辨形貌分析是不可或缺的排查手段。
SEM3200/光刻胶/15 kV/ETD
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SEM3200/芯片表面/10 kV/ETD
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SEM3200/开封芯片/10 kV/ETD
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SEM3200/芯片截面/15 kV/BSED
锂电池/新能源材料
在新能源与锂电池制造中，材料的微观缺陷极易引发热失控，为了保障电芯的极致安全与性能，需要利用扫描电镜进行正负极材料和隔膜材料的检测。
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SEM3200/负极极片/10 kV/BSED
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SEM3200/隔膜/15 kV/ETD
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SEM3200/锂电负极-硬碳/10 kV/ETD
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SEM3200/导电集流体-生箔/10 kV/ETD
金属材料
在金属材料研发与制造中，零部件常遭遇疲劳或腐蚀失效，为了探究其根本原因，需要借助专业的显微结构表征设备进行检测，其中扫描电镜是极为重要的设备之一。
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SEM3200/2A12铝合金析出相/15 kV/BSED
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SEM3200/金属金相组织/10 kV/ETD
功能材料与新材料
在功能与新材料的研发中，微观形貌与特殊结构直接决定其最终性能。扫描电镜作为专业表征工具，可以很好的对新材料的微观形貌表征。
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SEM3200/氧化锆/10 kV/ETD
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SEM3200/硫化钼/5 kV/ETD
高分子材料
在高分子材料研发与改性中，微观形貌与断口结构直接决定性能，为了探究其内在机理，利用扫描电镜进行低电压形貌观察是非常重要的表征方法。
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SEM3200/高分子纤维断面/15 kV/ETD
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SEM3200/静电纺丝/5 kV/ETD
生命与食品工程
在生命医药与食品工程中，组织形态与成分的微观结构直接关乎生理演变或口感风味。借助扫描电镜可深度观察生物大分子与食品原料的立体形貌。
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SEM3200/红豆截面/20 kV/低真空70 Pa/BSED
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SEM3200/花粉 /10 kV/ETD
解决方案
12英寸晶圆检测
12英寸晶圆扫描电镜广泛应用于半导体行业和科研领域。它配备大尺寸、大行程的样品台（超过300mm行程)，具备高分辨率成像能力，可对微观结构进行详细观察和分析，其在半导体制造中用于检测晶圆缺陷，助力工艺优化，实现大尺寸全覆盖无损检测，标配高灵敏度镜筒内探测器，可选配EDS模块，实现形貌、成分等综合分析。
电镜-拉曼联用
- 信息互补，同步获取
- 直接对接，紧密关联
- 精准定位，针对性强
- 适用范围广，灵活性高
- 跨平台精准定位
- 多模态数据融合
- 灵活扩展性强
- 高性价比解决方案
冷冻传输电镜
高分辨形貌表征，保持样品原始状态，不皱缩，不变形，机械损伤小。冷冻制样过程无需化学固定和脱水，样品处理步骤减少，降低人为误差。不仅适用于生物样品，还适用于液体、半液体、和电子束敏感样品的观察。
体电镜
国仪量子vEM解决方案是一套面向细胞、组织等大尺度生物样品的三维结构与动态信息获取的平台型方案，实现了从数据采集到三维重构的全流程闭环。可提供多条技术路线，可根据需求灵活选择，配套多语言界面自动化工作流及集成式生物AI算法，让体电镜操作“开箱即用”。
原位加热芯片
- 控温精度高，温度均匀性好
- 红外辐射少，高温下分析更稳定
- 温控范围广，室温~1100℃
- 可兼容国仪SEM,FIB,进行原位EDS,EBSD测试
原位力学
在纳米精度下实时捕捉材料受热(-170~1200℃)或受力时的微观演变：晶界滑移、裂纹扩展、相变轨迹，突破传统静态表征局限。同步关联温度-应力-结构响应（如高温蠕变中位错增殖、拉伸下界面脱粘），揭示材料在真实服役环境中的失效机制。为航空热障涂层脱落、柔性电极断裂、生物植入物腐蚀等场景提供微观级失效证据，加速高性能材料设计与寿命预测。
- 动态高分辨观测
- 多场耦合关联
- 工业-科研双驱
4D-STEM
- 高空间分辨率
- 低束流损伤
- 多维度分析
- 数据灵活性高
8英寸晶圆全尺寸加工
聚焦离子束电子束双束扫描电镜广泛应用于半导体行业与科研领域，搭载150mm大行程样品台，可实现8英寸晶圆的全尺寸加工与观测。该方案在半导体制造过程中广泛应用于晶圆缺陷检测、失效分析与工艺优化，助力提升制造良率与产品性能。
产品参数
| 关键参数： | 电子枪类型 | 预对中型发叉式钨灯丝电子枪 |
| 分辨率 | 3 nm @ 30 kV，SE | |
| 7 nm @ 3 kV，SE | ||
| 4 nm @ 30 kV，BSE | ||
| 加速电压 | 20 V ~ 30 kV | |
| 放大倍率 | 1 ~ 300000 x | |
| 位移台（大行程可选）： | 位移台类型 | 五轴机械优中心位移台 |
| 探测器 | 旁侧电子探测器 (ETD) | ● |
| 悬挂式背散射电子探测器 (BSED) | ○ | |
| 插入式背散射电子探测器 (BSED) | ○ | |
| 插入式扫描透射电子探测器 (STEM) | ○ | |
| 能谱仪 (EDS) | ○ | |
| 背散射衍射 (EBSD) | ○ | |
| 扩展 | 低真空模式 | ○ |
| 硬件防碰撞 | ○ | |
| 双阳极 | ○ | |
| 样品交换仓 | ||
| 旋钮板&轨迹球 | ||
| *可接受微定制服务 | ● 标配 ○ 选配 |
高性能综合型
钨灯丝扫描电子显微镜
SEM3200
SEM3200 是一款综合能力优秀的通用型立式钨灯丝扫描电镜。独特的电子枪双阳极结构，保证了低电压下的分辨率和更好的图像信噪比。另外有诸多的可选配附件选择，使得SEM3200成为了一款应用广泛的综合分析仪器。
轻松拍摄敏感样品
可拍摄含水及电子束流敏感样品
功能丰富
用户友好的操作界面
化繁为简
流畅省心的电镜使用体验
实时监测
双重防碰撞
强大的扩展性
兼容第三方附件
技术特点
双阳极结构
中间阳极处于韦氏帽和阳极之间，在低压下，可提高电子束的拔出效率，分辨率可提升10%，信噪比可提升30%。
低真空模式一键切换
> 提供 5~180 Pa（免光阑）与 180~1000 Pa（配压差光阑）两段模式，从容应对各类复杂样品的检测需求。
> 特殊设计的物镜真空腔体，低真空分辨率仍能保持在 3 nm@30 kV，确保绝缘材料也能获得清晰的表面细节。
> 利用气体电离原理有效中和表面荷电，非导电样品无需喷金即可直接进样，大幅缩短检验周期并避免掩盖表面真实纹理。
扩展功能
颗粒和孔腺分析软件
采用的算法可对多种目标检测和分割，适用不同的颗粒和孔隙类样品。可完成颗粒和孔隙统计的定量分析，可应用于材料科学、地质科学、环境科学等领域。
> 使用Mask-RCNN目标检测与实例分割算法，无需调参即可精准识别图像中的粒子
> 经典分水岭算法及集合轮廓非凸切割法针对粘连重叠粒子的精准切割
> 颗粒物统计和孔隙分析两种模式
> 多种形态学信息统计分析与导出，如粒度数量，平均面积，粒径，孔隙率等
（Mask-RCNN：Mask Region-based Convolutional Neural Network是一种用于目标检测和实例分割的深度学习模型）
软件开发工具包（SDK）
提供了一套控制扫描电镜的接口，如图像采集、工况设置、开关机、位移台控制等。简明的接口定义，可快速开发特定的电镜运行脚本和软件，实现自动追踪感兴趣区域、工业自动化采集、图像漂移矫正等功能。可进行硅藻自动分析、钢铁夹杂物、清洁度分析、原材料控制等特色软件的开发。
> 支持常用编程语言，如C++、Python、C#……
> 完善的接口定义和说明文档
> 提供C++和Python调用案例
> 可实现扫描电镜的全部功能控制
应用案例
电子半导体
在半导体行业内，制程工艺会伴随各种微观缺陷，为了保障芯片的高良率，会引入专业的微观表征设备进行检测，其中利用扫描电镜进行高分辨形貌分析是不可或缺的排查手段。
SEM3200/光刻胶/15 kV/ETD
SEM3200/芯片表面/10 kV/ETD
SEM3200/开封芯片/10 kV/ETD
SEM3200/芯片截面/15 kV/BSED
锂电池/新能源材料
在新能源与锂电池制造中，材料的微观缺陷极易引发热失控，为了保障电芯的极致安全与性能，需要利用扫描电镜进行正负极材料和隔膜材料的检测。
SEM3200/负极极片/10 kV/BSED
SEM3200/隔膜/15 kV/ETD
SEM3200/锂电负极-硬碳/10 kV/ETD
SEM3200/导电集流体-生箔/10 kV/ETD
金属材料
在金属材料研发与制造中，零部件常遭遇疲劳或腐蚀失效，为了探究其根本原因，需要借助专业的显微结构表征设备进行检测，其中扫描电镜是极为重要的设备之一。
SEM3200/2A12铝合金析出相/15 kV/BSED
SEM3200/金属金相组织/10 kV/ETD
功能材料与新材料
在功能与新材料的研发中，微观形貌与特殊结构直接决定其最终性能。扫描电镜作为专业表征工具，可以很好的对新材料的微观形貌表征。
SEM3200/氧化锆/10 kV/ETD
SEM3200/硫化钼/5 kV/ETD
高分子材料
在高分子材料研发与改性中，微观形貌与断口结构直接决定性能，为了探究其内在机理，利用扫描电镜进行低电压形貌观察是非常重要的表征方法。
SEM3200/高分子纤维断面/15 kV/ETD
SEM3200/静电纺丝/5 kV/ETD
生命与食品工程
在生命医药与食品工程中，组织形态与成分的微观结构直接关乎生理演变或口感风味。借助扫描电镜可深度观察生物大分子与食品原料的立体形貌。
SEM3200/红豆截面/20 kV/低真空70 Pa/BSED
SEM3200/花粉 /10 kV/ETD
解决方案
12英寸晶圆检测
12英寸晶圆扫描电镜广泛应用于半导体行业和科研领域。它配备大尺寸、大行程的样品台（超过300mm行程)，具备高分辨率成像能力，可对微观结构进行详细观察和分析，其在半导体制造中用于检测晶圆缺陷，助力工艺优化，实现大尺寸全覆盖无损检测，标配高灵敏度镜筒内探测器，可选配EDS模块，实现形貌、成分等综合分析。
电镜-拉曼联用
- 信息互补，同步获取
- 直接对接，紧密关联
- 精准定位，针对性强
- 适用范围广，灵活性高
- 跨平台精准定位
- 多模态数据融合
- 灵活扩展性强
- 高性价比解决方案
冷冻传输电镜
高分辨形貌表征，保持样品原始状态，不皱缩，不变形，机械损伤小。冷冻制样过程无需化学固定和脱水，样品处理步骤减少，降低人为误差。不仅适用于生物样品，还适用于液体、半液体、和电子束敏感样品的观察。
体电镜
国仪量子vEM解决方案是一套面向细胞、组织等大尺度生物样品的三维结构与动态信息获取的平台型方案，实现了从数据采集到三维重构的全流程闭环。可提供多条技术路线，可根据需求灵活选择，配套多语言界面自动化工作流及集成式生物AI算法，让体电镜操作“开箱即用”。
原位加热芯片
- 控温精度高，温度均匀性好
- 红外辐射少，高温下分析更稳定
- 温控范围广，室温~1100℃
- 可兼容国仪SEM,FIB,进行原位EDS,EBSD测试
原位力学
在纳米精度下实时捕捉材料受热(-170~1200℃)或受力时的微观演变：晶界滑移、裂纹扩展、相变轨迹，突破传统静态表征局限。同步关联温度-应力-结构响应（如高温蠕变中位错增殖、拉伸下界面脱粘），揭示材料在真实服役环境中的失效机制。为航空热障涂层脱落、柔性电极断裂、生物植入物腐蚀等场景提供微观级失效证据，加速高性能材料设计与寿命预测。
- 动态高分辨观测
- 多场耦合关联
- 工业-科研双驱
4D-STEM
- 高空间分辨率
- 低束流损伤
- 多维度分析
- 数据灵活性高
8英寸晶圆全尺寸加工
聚焦离子束电子束双束扫描电镜广泛应用于半导体行业与科研领域，搭载150mm大行程样品台，可实现8英寸晶圆的全尺寸加工与观测。该方案在半导体制造过程中广泛应用于晶圆缺陷检测、失效分析与工艺优化，助力提升制造良率与产品性能。
产品参数
| 关键参数： | 电子枪类型 | 预对中型发叉式钨灯丝电子枪 |
| 分辨率 | 3 nm @ 30 kV，SE | |
| 7 nm @ 3 kV，SE | ||
| 4 nm @ 30 kV，BSE | ||
| 加速电压 | 20 V ~ 30 kV | |
| 放大倍率 | 1 ~ 300000 x | |
| 位移台（大行程可选）： | 位移台类型 | 五轴机械优中心位移台 |
| 探测器 | 旁侧电子探测器 (ETD) | ● |
| 悬挂式背散射电子探测器 (BSED) | ○ | |
| 插入式背散射电子探测器 (BSED) | ○ | |
| 插入式扫描透射电子探测器 (STEM) | ○ | |
| 能谱仪 (EDS) | ○ | |
| 背散射衍射 (EBSD) | ○ | |
| 扩展 | 低真空模式 | ○ |
| 硬件防碰撞 | ○ | |
| 双阳极 | ○ | |
| 样品交换仓 | ||
| 旋钮板&轨迹球 | ||
| *可接受微定制服务 | ● 标配 ○ 选配 |
