突破性的分辨能力
支持高倍率下样品清晰成像
SEM5000XLV 兼顾高分辨成像与大束流分析,支持低真空模式与大束流模式快速切换。设备集成EDS与EBSD分析模块,满足电子束敏感样品的高效检测需求,为实验室提供微区分析与成分鉴定的解决方案。
支持高倍率下样品清晰成像
可应对多种测样要求
样品表征更精准
一站式分析平台
采用双聚光镜架构,实现电子束独立精准调控。完美兼顾纳米级高分辨成像与大束流高效分析,全面提升多维表征能力。

大束流结合高分辨率的扫描电镜,可在兼顾精细形貌观测与高效信号激发的前提下,广泛应用于半导体芯片微观缺陷检测、微电子器件表征、纳米材料形貌与成分同步分析、镀层 / 薄膜界面观测、生物大样本高倍成像,同时适配电子束曝光、微区元素快速面分布扫描、失效分析等场景,既能看清纳米级细微结构,又凭借大束流提升成像速度、增强二次电子与特征 X 射线信号强度,满足高精度、高效率的综合检测需求
*金标样/10 kV/15 nA/大束流高分辨
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在半导体行业内,制程工艺会伴随各种微观缺陷,为了保障芯片的高良率,会引入专业的微观表征设备进行检测,其中利用扫描电镜进行高分辨形貌分析是不可或缺的排查手段。
SEM5000XLV/14nm芯片/0.7 kV/Inlens
SEM5000XLV/引线/10 kV/ETD
SEM5000XLV/金属键合层/10 kV/BSED
SEM5000XLV/光刻胶/500 V/Inlens
在新能源与锂电池制造中,材料的微观缺陷极易引发热失控,为了保障电芯的极致安全与性能,需要利用扫描电镜进行正负极材料和隔膜材料的检测。
SEM5000XLV/锂电池材料/1 kV/Inlens
SEM5000XLV/锂电池隔膜/0.2 kV/Inlens
在功能与新材料的研发中,微观形貌与特殊结构直接决定其最终性能。扫描电镜作为专业表征工具,可以很好的对新材料的微观形貌表征。
SEM5000XLV/碳纳米管/2 kV/Inlens
SEM5000XLV/氧化铝/0.1 kV/Inlens
在金属材料研发与制造中,零部件常遭遇疲劳或腐蚀失效,为了探究其根本原因,需要借助专业的显微结构表征设备进行检测,其中扫描电镜是极为重要的设备之一。
SEM5000XLV/Ni粉/15 kV/MIX
SEM5000XLV/金属断口/15 kV/BSED
在高分子材料研发与改性中,微观形貌与断口结构直接决定性能,为了探究其内在机理,利用扫描电镜进行低电压形貌观察是非常重要的表征方法。
SEM5000XLV/高分子粉末/3 kV/MIX
SEM5000XLV/聚苯乙烯微球/2 kV/MIX
12英寸晶圆扫描电镜广泛应用于半导体行业和科研领域。它配备大尺寸、大行程的样品台(超过300mm行程),具备高分辨率成像能力,可对微观结构进行详细观察和分析,其在半导体制造中用于检测晶圆缺陷,助力工艺优化,实现大尺寸全覆盖无损检测,标配高灵敏度镜筒内探测器,可选配EDS模块,实现形貌、成分等综合分析。
高分辨形貌表征,保持样品原始状态,不皱缩,不变形,机械损伤小。冷冻制样过程无需化学固定和脱水,样品处理步骤减少,降低人为误差。不仅适用于生物样品,还适用于液体、半液体、和电子束敏感样品的观察。
国仪量子vEM解决方案是一套面向细胞、组织等大尺度生物样品的三维结构与动态信息获取的平台型方案,实现了从数据采集到三维重构的全流程闭环。可提供多条技术路线,可根据需求灵活选择,配套多语言界面自动化工作流及集成式生物AI算法,让体电镜操作“开箱即用”。
在纳米精度下实时捕捉材料受热(-170~1200℃)或受力时的微观演变:晶界滑移、裂纹扩展、相变轨迹,突破传统静态表征局限。同步关联温度-应力-结构响应(如高温蠕变中位错增殖、拉伸下界面脱粘),揭示材料在真实服役环境中的失效机制。为航空热障涂层脱落、柔性电极断裂、生物植入物腐蚀等场景提供微观级失效证据,加速高性能材料设计与寿命预测。
国仪量子vEM解决方案是一套面向细胞、组织等大尺度生物样品的三维结构与动态信息获取的平台型方案,实现了从数据采集到三维重构的全流程闭环。可提供多条技术路线,可根据需求灵活选择,配套多语言界面自动化工作流及集成式生物AI算法,让体电镜操作“开箱即用”。
| 关键参数: | 电子枪类型 | 肖特基场发射电子枪 |
| 分辨率 | 0.6 nm @ 15 kV, SE | |
| 1.0 nm @ 1 kV, SE | ||
| 0.9 nm @ 1 kV, SE (样品台减速) | ||
| 加速电压 | 20 V ~ 30 kV | |
| 放大倍率 | 1 ~ 2,500,000x | |
| 电子束流 | 1 pA~50 nA (100 nA可选) | |
| 位移台(大行程可选): | 位移台类型 | 五轴机械优中心位移台 |
| 探测器 | 镜筒内电子探测器(Inlens) | ● |
| 旁侧电子探测器 (ETD) | ● | |
| 插入式背散射电子探测器 (BSED) | ● | |
| 插入式扫描透射电子探测器 (STEM) | ○ | |
| 能谱仪 (EDS) | ○ | |
| 背散射衍射 (EBSD) | ○ | |
| 扩展 | 样品台减速模式 | ○ |
| 低真空模式 | ● | |
| 样品交换仓 | ○ | |
| 旋钮板&轨迹球 | ○ | |
| *可接受微定制服务 | ● 标配 ○ 选配 |

SEM5000XLV 兼顾高分辨成像与大束流分析,支持低真空模式与大束流模式快速切换。设备集成EDS与EBSD分析模块,满足电子束敏感样品的高效检测需求,为实验室提供微区分析与成分鉴定的解决方案。
支持高倍率下样品清晰成像
可应对多种测样要求
样品表征更精准
一站式分析平台
采用双聚光镜架构,实现电子束独立精准调控。完美兼顾纳米级高分辨成像与大束流高效分析,全面提升多维表征能力。

大束流结合高分辨率的扫描电镜,可在兼顾精细形貌观测与高效信号激发的前提下,广泛应用于半导体芯片微观缺陷检测、微电子器件表征、纳米材料形貌与成分同步分析、镀层 / 薄膜界面观测、生物大样本高倍成像,同时适配电子束曝光、微区元素快速面分布扫描、失效分析等场景,既能看清纳米级细微结构,又凭借大束流提升成像速度、增强二次电子与特征 X 射线信号强度,满足高精度、高效率的综合检测需求
*金标样/10 kV/15 nA/大束流高分辨
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在半导体行业内,制程工艺会伴随各种微观缺陷,为了保障芯片的高良率,会引入专业的微观表征设备进行检测,其中利用扫描电镜进行高分辨形貌分析是不可或缺的排查手段。
SEM5000XLV/14nm芯片/0.7 kV/Inlens
SEM5000XLV/引线/10 kV/ETD
SEM5000XLV/金属键合层/10 kV/BSED
SEM5000XLV/光刻胶/500 V/Inlens
在新能源与锂电池制造中,材料的微观缺陷极易引发热失控,为了保障电芯的极致安全与性能,需要利用扫描电镜进行正负极材料和隔膜材料的检测。
SEM5000XLV/锂电池材料/1 kV/Inlens
SEM5000XLV/锂电池隔膜/0.2 kV/Inlens
在功能与新材料的研发中,微观形貌与特殊结构直接决定其最终性能。扫描电镜作为专业表征工具,可以很好的对新材料的微观形貌表征。
SEM5000XLV/碳纳米管/2 kV/Inlens
SEM5000XLV/氧化铝/0.1 kV/Inlens
在金属材料研发与制造中,零部件常遭遇疲劳或腐蚀失效,为了探究其根本原因,需要借助专业的显微结构表征设备进行检测,其中扫描电镜是极为重要的设备之一。
SEM5000XLV/Ni粉/15 kV/MIX
SEM5000XLV/金属断口/15 kV/BSED
在高分子材料研发与改性中,微观形貌与断口结构直接决定性能,为了探究其内在机理,利用扫描电镜进行低电压形貌观察是非常重要的表征方法。
SEM5000XLV/高分子粉末/3 kV/MIX
SEM5000XLV/聚苯乙烯微球/2 kV/MIX
12英寸晶圆扫描电镜广泛应用于半导体行业和科研领域。它配备大尺寸、大行程的样品台(超过300mm行程),具备高分辨率成像能力,可对微观结构进行详细观察和分析,其在半导体制造中用于检测晶圆缺陷,助力工艺优化,实现大尺寸全覆盖无损检测,标配高灵敏度镜筒内探测器,可选配EDS模块,实现形貌、成分等综合分析。
高分辨形貌表征,保持样品原始状态,不皱缩,不变形,机械损伤小。冷冻制样过程无需化学固定和脱水,样品处理步骤减少,降低人为误差。不仅适用于生物样品,还适用于液体、半液体、和电子束敏感样品的观察。
国仪量子vEM解决方案是一套面向细胞、组织等大尺度生物样品的三维结构与动态信息获取的平台型方案,实现了从数据采集到三维重构的全流程闭环。可提供多条技术路线,可根据需求灵活选择,配套多语言界面自动化工作流及集成式生物AI算法,让体电镜操作“开箱即用”。
在纳米精度下实时捕捉材料受热(-170~1200℃)或受力时的微观演变:晶界滑移、裂纹扩展、相变轨迹,突破传统静态表征局限。同步关联温度-应力-结构响应(如高温蠕变中位错增殖、拉伸下界面脱粘),揭示材料在真实服役环境中的失效机制。为航空热障涂层脱落、柔性电极断裂、生物植入物腐蚀等场景提供微观级失效证据,加速高性能材料设计与寿命预测。
国仪量子vEM解决方案是一套面向细胞、组织等大尺度生物样品的三维结构与动态信息获取的平台型方案,实现了从数据采集到三维重构的全流程闭环。可提供多条技术路线,可根据需求灵活选择,配套多语言界面自动化工作流及集成式生物AI算法,让体电镜操作“开箱即用”。
| 关键参数: | 电子枪类型 | 肖特基场发射电子枪 |
| 分辨率 | 0.6 nm @ 15 kV, SE | |
| 1.0 nm @ 1 kV, SE | ||
| 0.9 nm @ 1 kV, SE (样品台减速) | ||
| 加速电压 | 20 V ~ 30 kV | |
| 放大倍率 | 1 ~ 2,500,000x | |
| 电子束流 | 1 pA~50 nA (100 nA可选) | |
| 位移台(大行程可选): | 位移台类型 | 五轴机械优中心位移台 |
| 探测器 | 镜筒内电子探测器(Inlens) | ● |
| 旁侧电子探测器 (ETD) | ● | |
| 插入式背散射电子探测器 (BSED) | ● | |
| 插入式扫描透射电子探测器 (STEM) | ○ | |
| 能谱仪 (EDS) | ○ | |
| 背散射衍射 (EBSD) | ○ | |
| 扩展 | 样品台减速模式 | ○ |
| 低真空模式 | ● | |
| 样品交换仓 | ○ | |
| 旋钮板&轨迹球 | ○ | |
| *可接受微定制服务 | ● 标配 ○ 选配 |

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