突破性的分辨能力
支持高倍率下样品清晰成像
超高分辨
场发射扫描电子显微镜
SEM5000Pro
SEM5000Pro（G2）场发射扫描电镜以稳定可靠，易用增效为核心设计理念，致 力于让各类实验室拥有场发射级的观测能力。设备集优异的超高分辨率与长期运行的稳定性于一体，无论是在先进纳米材料的微观结构表征，还是在高端半导体的研发与制造中，均能稳定提供高质量的成像数据，充分满足科研机构与工业质检平台的应用需求。
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超高的低压分辨率
可胜任电子束敏感样品表征
视野恒定不丢焦
样品表征更精准
多重安全保障系统
测样更安全
多维度扩展生态
可应对多种测样要求
电子光学
优化镜筒设计，色差降低12%，球差降低20%，综合像差锐减30%，显著提升了呈现样品微观细节的能力，为客户还原高保真的真实微观形貌，确保精密表征与尺寸量测的准确性。
高分辨率成像
扫描电镜中的双减速系统（也称为串联减速技术，Tandem Decel）是一种先进的电子束能量控制技术，它将镜筒内减速和样品台偏压减速两种方式相结合，解决了传统低电压成像中 "分辨率下降" 与 "荷电效应 / 样品损伤" 之间的矛盾，实现了极低电压下的高分辨率成像。
SBA-15分子筛/500 V/未喷金/样品台减速
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镜筒内减速系统
使用镜筒内电子探测器，200 V低压下实现对干法隔膜，实现结构的形貌表征。
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双减速系统
镜筒内减速+样品台减速 使用镜筒内电子探测器，200 V低压下对湿法隔膜，不喷金实现结构的形貌表征。
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自动拍样
应用案例
电子半导体
在半导体行业内，制程工艺会伴随各种微观缺陷，为了保障芯片的高良率，会引入专业的微观表征设备进行检测，其中利用扫描电镜进行高分辨形貌分析是不可或缺的排查手段。
SEM5000Pro/CIS芯片/30 kV/STEM-DF
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SEM5000Pro/14 nm芯片/0.7 kV/Inlens
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SEM5000Pro/十字光刻胶/1 kV/MIX
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SEM5000Pro/镍腐蚀/5 kV/BSED
锂电池/新能源材料
在新能源与锂电池制造中，材料的微观缺陷极易引发热失控，为了保障电芯的极致安全与性能，需要利用扫描电镜进行正负极材料和隔膜材料的检测。
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SEM5000Pro/磷酸铁/1 kV/Inlens
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SEM5000Pro/中空过滤纤维管/1 kV/Inlens
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SEM5000Pro/光伏芯片/3 kV/Inlens
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SEM5000Pro/光伏硅片/2 kV/BSED
高分子材料
在高分子材料研发与改性中，微观形貌与断口结构直接决定性能，为了探究其内在机理，利用扫描电镜进行低电压形貌观察是非常重要的表征方法。
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SEM5000Pro/氧化铝/0.1 kV/Inlens
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SEM5000Pro/薄膜/1kV/Inlens
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SEM5000Pro/高分子磁珠/2 kV/ETD
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SEM5000Pro/氧化钛/2 kV/ETD
金属材料
在金属材料研发与制造中，零部件常遭遇疲劳或腐蚀失效，为了探究其根本原因，需要借助专业的显微结构表征设备进行检测，其中扫描电镜是极为重要的设备之一。
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SEM5000Pro/ Ba2Fe0.8Nb1.2O6强磁粉末/3 kV/ETD
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SEM5000Pro/铁镍合金金属断口中/10 kV/ETD
生命科学
在生命科学研究中，低压背散射电子成像，以低损伤、强 Z 衬度为核心，成为生物超微结构观察、标记定位、三维断层成像、硬组织与病理分析的关键手段。
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SEM5000Pro/脑组织/3kV/BSED
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SEM5000Pro/脑组织/2 kV/BSED
解决方案
12英寸晶圆检测
12英寸晶圆扫描电镜广泛应用于半导体行业和科研领域。它配备大尺寸、大行程的样品台（超过300mm行程)，具备高分辨率成像能力，可对微观结构进行详细观察和分析，其在半导体制造中用于检测晶圆缺陷，助力工艺优化，实现大尺寸全覆盖无损检测，标配高灵敏度镜筒内探测器，可选配EDS模块，实现形貌、成分等综合分析。
电镜-拉曼联用
- 信息互补，同步获取
- 直接对接，紧密关联
- 精准定位，针对性强
- 适用范围广，灵活性高
- 跨平台精准定位
- 多模态数据融合
- 灵活扩展性强
- 高性价比解决方案
冷冻传输电镜
高分辨形貌表征，保持样品原始状态，不皱缩，不变形，机械损伤小。冷冻制样过程无需化学固定和脱水，样品处理步骤减少，降低人为误差。不仅适用于生物样品，还适用于液体、半液体、和电子束敏感样品的观察。
体电镜
国仪量子vEM解决方案是一套面向细胞、组织等大尺度生物样品的三维结构与动态信息获取的平台型方案，实现了从数据采集到三维重构的全流程闭环。可提供多条技术路线，可根据需求灵活选择，配套多语言界面自动化工作流及集成式生物AI算法，让体电镜操作“开箱即用”。
原位加热芯片
- 控温精度高，温度均匀性好
- 红外辐射少，高温下分析更稳定
- 温控范围广，室温~1100℃
- 可兼容国仪SEM,FIB,进行原位EDS,EBSD测试
原位力学
在纳米精度下实时捕捉材料受热(-170~1200℃)或受力时的微观演变：晶界滑移、裂纹扩展、相变轨迹，突破传统静态表征局限。同步关联温度-应力-结构响应（如高温蠕变中位错增殖、拉伸下界面脱粘），揭示材料在真实服役环境中的失效机制。为航空热障涂层脱落、柔性电极断裂、生物植入物腐蚀等场景提供微观级失效证据，加速高性能材料设计与寿命预测。
- 动态高分辨观测
- 多场耦合关联
- 工业-科研双驱
4D-STEM
- 高空间分辨率
- 低束流损伤
- 多维度分析
- 数据灵活性高
8英寸晶圆全尺寸加工
聚焦离子束电子束双束扫描电镜广泛应用于半导体行业与科研领域，搭载150mm大行程样品台，可实现8英寸晶圆的全尺寸加工与观测。该方案在半导体制造过程中广泛应用于晶圆缺陷检测、失效分析与工艺优化，助力提升制造良率与产品性能。
产品参数
| 关键参数： | 电子枪类型 | 肖特基场发射电子枪 |
| 分辨率 | 0.6 nm @ 15 kV, SE | |
| 1.0 nm @ 1 kV, SE | ||
| 0.9 nm @ 1 kV, SE (样品台减速) | ||
| 加速电压 | 20 V ~ 30 kV | |
| 放大倍率 | 1 ~ 2,500,000x | |
| 位移台（大行程可选）： | 位移台类型 | 五轴机械优中心位移台 |
| 探测器 | 镜筒内电子探测器(Inlens) | ● |
| 旁侧电子探测器 (ETD) | ● | |
| 插入式背散射电子探测器 (BSED) | ○ | |
| 插入式扫描透射电子探测器 (STEM) | ○ | |
| 能谱仪 (EDS) | ○ | |
| 背散射衍射 (EBSD) | ○ | |
| 扩展 | 样品台减速模式 | ○ |
| 低真空模式 | ○ | |
| 样品交换仓 | ○ | |
| 旋钮板&轨迹球 | ○ | |
| *可接受微定制服务 | ● 标配 ○ 选配 |
超高分辨
场发射扫描电子显微镜
SEM5000Pro
SEM5000Pro（G2）场发射扫描电镜以稳定可靠，易用增效为核心设计理念，致 力于让各类实验室拥有场发射级的观测能力。设备集优异的超高分辨率与长期运行的稳定性于一体，无论是在先进纳米材料的微观结构表征，还是在高端半导体的研发与制造中，均能稳定提供高质量的成像数据，充分满足科研机构与工业质检平台的应用需求。
突破性的分辨能力
支持高倍率下样品清晰成像
超高的低压分辨率
可胜任电子束敏感样品表征
视野恒定不丢焦
样品表征更精准
多重安全保障系统
测样更安全
多维度扩展生态
可应对多种测样要求
电子光学
优化镜筒设计，色差降低12%，球差降低20%，综合像差锐减30%，显著提升了呈现样品微观细节的能力，为客户还原高保真的真实微观形貌，确保精密表征与尺寸量测的准确性。
高分辨率成像
扫描电镜中的双减速系统（也称为串联减速技术，Tandem Decel）是一种先进的电子束能量控制技术，它将镜筒内减速和样品台偏压减速两种方式相结合，解决了传统低电压成像中 "分辨率下降" 与 "荷电效应 / 样品损伤" 之间的矛盾，实现了极低电压下的高分辨率成像。
SBA-15分子筛/500 V/未喷金/样品台减速
镜筒内减速系统
使用镜筒内电子探测器，200 V低压下实现对干法隔膜，实现结构的形貌表征。
双减速系统
镜筒内减速+样品台减速 使用镜筒内电子探测器，200 V低压下对湿法隔膜，不喷金实现结构的形貌表征。
自动拍样
应用案例
电子半导体
在半导体行业内，制程工艺会伴随各种微观缺陷，为了保障芯片的高良率，会引入专业的微观表征设备进行检测，其中利用扫描电镜进行高分辨形貌分析是不可或缺的排查手段。
SEM5000Pro/CIS芯片/30 kV/STEM-DF
SEM5000Pro/14 nm芯片/0.7 kV/Inlens
SEM5000Pro/十字光刻胶/1 kV/MIX
SEM5000Pro/镍腐蚀/5 kV/BSED
锂电池/新能源材料
在新能源与锂电池制造中，材料的微观缺陷极易引发热失控，为了保障电芯的极致安全与性能，需要利用扫描电镜进行正负极材料和隔膜材料的检测。
SEM5000Pro/磷酸铁/1 kV/Inlens
SEM5000Pro/中空过滤纤维管/1 kV/Inlens
SEM5000Pro/光伏芯片/3 kV/Inlens
SEM5000Pro/光伏硅片/2 kV/BSED
高分子材料
在高分子材料研发与改性中，微观形貌与断口结构直接决定性能，为了探究其内在机理，利用扫描电镜进行低电压形貌观察是非常重要的表征方法。
SEM5000Pro/氧化铝/0.1 kV/Inlens
SEM5000Pro/薄膜/1kV/Inlens
SEM5000Pro/高分子磁珠/2 kV/ETD
SEM5000Pro/氧化钛/2 kV/ETD
金属材料
在金属材料研发与制造中，零部件常遭遇疲劳或腐蚀失效，为了探究其根本原因，需要借助专业的显微结构表征设备进行检测，其中扫描电镜是极为重要的设备之一。
SEM5000Pro/ Ba2Fe0.8Nb1.2O6强磁粉末/3 kV/ETD
SEM5000Pro/铁镍合金金属断口中/10 kV/ETD
生命科学
在生命科学研究中，低压背散射电子成像，以低损伤、强 Z 衬度为核心，成为生物超微结构观察、标记定位、三维断层成像、硬组织与病理分析的关键手段。
SEM5000Pro/脑组织/3kV/BSED
SEM5000Pro/脑组织/2 kV/BSED
解决方案
12英寸晶圆检测
12英寸晶圆扫描电镜广泛应用于半导体行业和科研领域。它配备大尺寸、大行程的样品台（超过300mm行程)，具备高分辨率成像能力，可对微观结构进行详细观察和分析，其在半导体制造中用于检测晶圆缺陷，助力工艺优化，实现大尺寸全覆盖无损检测，标配高灵敏度镜筒内探测器，可选配EDS模块，实现形貌、成分等综合分析。
电镜-拉曼联用
- 信息互补，同步获取
- 直接对接，紧密关联
- 精准定位，针对性强
- 适用范围广，灵活性高
- 跨平台精准定位
- 多模态数据融合
- 灵活扩展性强
- 高性价比解决方案
冷冻传输电镜
高分辨形貌表征，保持样品原始状态，不皱缩，不变形，机械损伤小。冷冻制样过程无需化学固定和脱水，样品处理步骤减少，降低人为误差。不仅适用于生物样品，还适用于液体、半液体、和电子束敏感样品的观察。
体电镜
国仪量子vEM解决方案是一套面向细胞、组织等大尺度生物样品的三维结构与动态信息获取的平台型方案，实现了从数据采集到三维重构的全流程闭环。可提供多条技术路线，可根据需求灵活选择，配套多语言界面自动化工作流及集成式生物AI算法，让体电镜操作“开箱即用”。
原位加热芯片
- 控温精度高，温度均匀性好
- 红外辐射少，高温下分析更稳定
- 温控范围广，室温~1100℃
- 可兼容国仪SEM,FIB,进行原位EDS,EBSD测试
原位力学
在纳米精度下实时捕捉材料受热(-170~1200℃)或受力时的微观演变：晶界滑移、裂纹扩展、相变轨迹，突破传统静态表征局限。同步关联温度-应力-结构响应（如高温蠕变中位错增殖、拉伸下界面脱粘），揭示材料在真实服役环境中的失效机制。为航空热障涂层脱落、柔性电极断裂、生物植入物腐蚀等场景提供微观级失效证据，加速高性能材料设计与寿命预测。
- 动态高分辨观测
- 多场耦合关联
- 工业-科研双驱
4D-STEM
- 高空间分辨率
- 低束流损伤
- 多维度分析
- 数据灵活性高
8英寸晶圆全尺寸加工
聚焦离子束电子束双束扫描电镜广泛应用于半导体行业与科研领域，搭载150mm大行程样品台，可实现8英寸晶圆的全尺寸加工与观测。该方案在半导体制造过程中广泛应用于晶圆缺陷检测、失效分析与工艺优化，助力提升制造良率与产品性能。
产品参数
| 关键参数： | 电子枪类型 | 肖特基场发射电子枪 |
| 分辨率 | 0.6 nm @ 15 kV, SE | |
| 1.0 nm @ 1 kV, SE | ||
| 0.9 nm @ 1 kV, SE (样品台减速) | ||
| 加速电压 | 20 V ~ 30 kV | |
| 放大倍率 | 1 ~ 2,500,000x | |
| 位移台（大行程可选）： | 位移台类型 | 五轴机械优中心位移台 |
| 探测器 | 镜筒内电子探测器(Inlens) | ● |
| 旁侧电子探测器 (ETD) | ● | |
| 插入式背散射电子探测器 (BSED) | ○ | |
| 插入式扫描透射电子探测器 (STEM) | ○ | |
| 能谱仪 (EDS) | ○ | |
| 背散射衍射 (EBSD) | ○ | |
| 扩展 | 样品台减速模式 | ○ |
| 低真空模式 | ○ | |
| 样品交换仓 | ○ | |
| 旋钮板&轨迹球 | ○ | |
| *可接受微定制服务 | ● 标配 ○ 选配 |
