全新极低电压，极致成像系统
极高分辨分析型一体机
场发射扫描电子显微镜
SEM5000Ultra
SEM5000Ultra 兼具低压高分辨和大束流分析，专为极端样品打造。凭借全电压范围出色的分辨率，支持大束流快速高分辨率分析，从换样到出图仅需一键，为前沿科研与高端半导体提供关键样品的极简、高效、高清成像。
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形貌与成分，高效全能分析
一键成像，轻松高效
突破性的分辨能力
支持超高分辨低压性能
优化镜筒设计，色差降低12%，球差降低20%，综合像差锐减30%，显著提升了呈现样品微观细节的能力，为客户还原高保真的真实微观形貌，确保精密表征与尺寸量测的准确性。
兼具高分辨/大束流
可适用多类样品检测
采用双聚光镜架构，实现电子束独立精准调控。完美兼顾纳米级高分辨成像与大束流高效分析，全面提升多维表征能力。
超高分辨大束流分析
大束流结合高分辨率的扫描电镜，可在兼顾精细形貌观测与高效信号激发的前提下，广泛应用于半导体芯片微观缺陷检测、微电子器件表征、纳米材料形貌与成分同步分析、镀层 / 薄膜界面观测、生物大样本高倍成像，同时适配电子束曝光、微区元素快速面分布扫描、失效分析等场景，既能看清纳米级细微结构，又凭借大束流提升成像速度、增强二次电子与特征 X 射线信号强度，满足高精度、高效率的综合检测需求。
*金标样/10 kV/15 nA/大束流高分辨
一键成像，轻松高效
外置光学导航加一键成像功能，从放样到出图仅需一键，立得清晰图像，效率倍增，简单易用，人人皆可获取高质量数据。
应用案例
电子半导体
在半导体行业内，制程工艺会伴随各种微观缺陷，为了保障芯片的高良率，会引入专业的微观表征设备进行检测，其中利用扫描电镜进行高分辨形貌分析是不可或缺的排查手段。
SEM5000Ultra/14 nm芯片/0.7 kV/Inlens
SEM5000Ultra/DRAM/15 kV/Inlens
SEM5000UItra/7 nm FinFET平面/30 kV/BSED
SEM5000Ultra/5 nm FinFET 截面/30 kV/STEM-BF
生命科学
在生命科学研究中，组织超薄切片STEM成像，成为生物超微结构观察、标记定位、三维断层成像、硬组织与病理分析的关键手段。
SEM5000Ultra/线粒体双层膜/30 kV/STEM-BF（来源：西湖大学）
SEM5000Ultra/髓鞘/30 kV/STEM-BF（来源：西湖大学）
功能材料与新材料
在功能与新材料的研发中，微观形貌与特殊结构直接决定其最终性能。扫描电镜作为专业表征工具，可以很好的对新材料的微观形貌表征。
SEM5000Ultra/干法隔膜/0.02 kV/Inlens
SEM5000Ultra/氧化铝/0.1 kV/Inlens
金属材料
在金属材料研发与制造中，零部件常遭遇疲劳或腐蚀失效，为了探究其根本原因，需要借助专业的显微结构表征设备进行检测，其中扫描电镜是极为重要的设备之一。
SEM5000Ultra/镍合金/20 kV/EDS
SEM5000Ultra/泡沫镍/20 kV/EDS
高分子材料
在高分子材料研发与改性中，微观形貌与断口结构直接决定性能，为了探究其内在机理，利用扫描电镜进行低电压形貌观察是非常重要的表征方法。
SEM5000Ultra/Au-In₂ O₃/0.1 kV/Inlens
SEM5000Ultra/ZIF 67/1 kV/ETD
解决方案
12英寸晶圆检测
12英寸晶圆扫描电镜广泛应用于半导体行业和科研领域。它配备大尺寸、大行程的样品台（超过300mm行程)，具备高分辨率成像能力，可对微观结构进行详细观察和分析，其在半导体制造中用于检测晶圆缺陷，助力工艺优化，实现大尺寸全覆盖无损检测，标配高灵敏度镜筒内探测器，可选配EDS模块，实现形貌、成分等综合分析。
电镜-拉曼联用
- 信息互补，同步获取
- 直接对接，紧密关联
- 精准定位，针对性强
- 适用范围广，灵活性高
- 跨平台精准定位
- 多模态数据融合
- 灵活扩展性强
- 高性价比解决方案
冷冻传输电镜
高分辨形貌表征，保持样品原始状态，不皱缩，不变形，机械损伤小。冷冻制样过程无需化学固定和脱水，样品处理步骤减少，降低人为误差。不仅适用于生物样品，还适用于液体、半液体、和电子束敏感样品的观察。
体电镜
国仪量子vEM解决方案是一套面向细胞、组织等大尺度生物样品的三维结构与动态信息获取的平台型方案，实现了从数据采集到三维重构的全流程闭环。可提供多条技术路线，可根据需求灵活选择，配套多语言界面自动化工作流及集成式生物AI算法，让体电镜操作“开箱即用”。
原位加热芯片
- 控温精度高，温度均匀性好
- 红外辐射少，高温下分析更稳定
- 温控范围广，室温~1100℃
- 可兼容国仪SEM,FIB,进行原位EDS,EBSD测试
原位力学
在纳米精度下实时捕捉材料受热(-170~1200℃)或受力时的微观演变：晶界滑移、裂纹扩展、相变轨迹，突破传统静态表征局限。同步关联温度-应力-结构响应（如高温蠕变中位错增殖、拉伸下界面脱粘），揭示材料在真实服役环境中的失效机制。为航空热障涂层脱落、柔性电极断裂、生物植入物腐蚀等场景提供微观级失效证据，加速高性能材料设计与寿命预测。
- 动态高分辨观测
- 多场耦合关联
- 工业-科研双驱
4D-STEM
- 高空间分辨率
- 低束流损伤
- 多维度分析
- 数据灵活性高
8英寸晶圆全尺寸加工
聚焦离子束电子束双束扫描电镜广泛应用于半导体行业与科研领域，搭载150mm大行程样品台，可实现8英寸晶圆的全尺寸加工与观测。该方案在半导体制造过程中广泛应用于晶圆缺陷检测、失效分析与工艺优化，助力提升制造良率与产品性能。
产品参数
| 关键参数: | 电子枪类型 | 肖特基场发射电子枪 |
| 分辨率 | 0.5 nm @ 15 kV，SE | |
| 0.8 nm @ 1 kV，SE | ||
| 0.7 nm @ 1 kV，SE (样品台减速) | ||
| 1.0 nm@0.5 kV，SE | ||
| 1.9 nm@15 kV, 5 nA，WD=8.5 mm | ||
| 0.4 nm@30kV，STEM | ||
| 加速电压 | 20 V ~ 30 kV | |
| 放大倍率 | 1 ~ 2,500,000x | |
| 电子束流 | 1 pA~50 nA (100 nA可选) | |
| 位移台(大行程可选): | 位移台类型 | 五轴机械优中心位移台 |
| 探测器: | 镜筒内电子探测器(Inlens) | ● |
| 旁侧电子探测器 (ETD) | ● | |
| 插入式背散射电子探测器 (BSED) | ○ | |
| 插入式扫描透射电子探测器 (STEM) | ○ | |
| 能谱仪 (EDS) | ○ | |
| 背散射衍射 (EBSD) | ○ | |
| 扩展: | 样品台减速模式 | ○ |
| 样品交换仓 | ● | |
| 旋钮板&轨迹球 | ● | |
| *可接受微定制服务 | ● 标配 ○ 选配 |
极高分辨分析型一体机
场发射扫描电子显微镜
SEM5000Ultra
SEM5000Ultra 兼具低压高分辨和大束流分析，专为极端样品打造。凭借全电压范围出色的分辨率，支持大束流快速高分辨率分析，从换样到出图仅需一键，为前沿科研与高端半导体提供关键样品的极简、高效、高清成像。
全新极低电压，极致成像系统
形貌与成分，高效全能分析
一键成像，轻松高效
突破性的分辨能力
支持超高分辨低压性能
优化镜筒设计，色差降低12%，球差降低20%，综合像差锐减30%，显著提升了呈现样品微观细节的能力，为客户还原高保真的真实微观形貌，确保精密表征与尺寸量测的准确性。
兼具高分辨/大束流
可适用多类样品检测
采用双聚光镜架构，实现电子束独立精准调控。完美兼顾纳米级高分辨成像与大束流高效分析，全面提升多维表征能力。
超高分辨大束流分析
大束流结合高分辨率的扫描电镜，可在兼顾精细形貌观测与高效信号激发的前提下，广泛应用于半导体芯片微观缺陷检测、微电子器件表征、纳米材料形貌与成分同步分析、镀层 / 薄膜界面观测、生物大样本高倍成像，同时适配电子束曝光、微区元素快速面分布扫描、失效分析等场景，既能看清纳米级细微结构，又凭借大束流提升成像速度、增强二次电子与特征 X 射线信号强度，满足高精度、高效率的综合检测需求。
*金标样/10 kV/15 nA/大束流高分辨
一键成像，轻松高效
外置光学导航加一键成像功能，从放样到出图仅需一键，立得清晰图像，效率倍增，简单易用，人人皆可获取高质量数据。
应用案例
电子半导体
在半导体行业内，制程工艺会伴随各种微观缺陷，为了保障芯片的高良率，会引入专业的微观表征设备进行检测，其中利用扫描电镜进行高分辨形貌分析是不可或缺的排查手段。
SEM5000Ultra/14 nm芯片/0.7 kV/Inlens
SEM5000Ultra/DRAM/15 kV/Inlens
SEM5000UItra/7 nm FinFET平面/30 kV/BSED
SEM5000Ultra/5 nm FinFET 截面/30 kV/STEM-BF
生命科学
在生命科学研究中，组织超薄切片STEM成像，成为生物超微结构观察、标记定位、三维断层成像、硬组织与病理分析的关键手段。
SEM5000Ultra/线粒体双层膜/30 kV/STEM-BF（来源：西湖大学）
SEM5000Ultra/髓鞘/30 kV/STEM-BF（来源：西湖大学）
功能材料与新材料
在功能与新材料的研发中，微观形貌与特殊结构直接决定其最终性能。扫描电镜作为专业表征工具，可以很好的对新材料的微观形貌表征。
SEM5000Ultra/干法隔膜/0.02 kV/Inlens
SEM5000Ultra/氧化铝/0.1 kV/Inlens
金属材料
在金属材料研发与制造中，零部件常遭遇疲劳或腐蚀失效，为了探究其根本原因，需要借助专业的显微结构表征设备进行检测，其中扫描电镜是极为重要的设备之一。
SEM5000Ultra/镍合金/20 kV/EDS
SEM5000Ultra/泡沫镍/20 kV/EDS
高分子材料
在高分子材料研发与改性中，微观形貌与断口结构直接决定性能，为了探究其内在机理，利用扫描电镜进行低电压形貌观察是非常重要的表征方法。
SEM5000Ultra/Au-In₂ O₃/0.1 kV/Inlens
SEM5000Ultra/ZIF 67/1 kV/ETD
解决方案
12英寸晶圆检测
12英寸晶圆扫描电镜广泛应用于半导体行业和科研领域。它配备大尺寸、大行程的样品台（超过300mm行程)，具备高分辨率成像能力，可对微观结构进行详细观察和分析，其在半导体制造中用于检测晶圆缺陷，助力工艺优化，实现大尺寸全覆盖无损检测，标配高灵敏度镜筒内探测器，可选配EDS模块，实现形貌、成分等综合分析。
电镜-拉曼联用
- 信息互补，同步获取
- 直接对接，紧密关联
- 精准定位，针对性强
- 适用范围广，灵活性高
- 跨平台精准定位
- 多模态数据融合
- 灵活扩展性强
- 高性价比解决方案
冷冻传输电镜
高分辨形貌表征，保持样品原始状态，不皱缩，不变形，机械损伤小。冷冻制样过程无需化学固定和脱水，样品处理步骤减少，降低人为误差。不仅适用于生物样品，还适用于液体、半液体、和电子束敏感样品的观察。
体电镜
国仪量子vEM解决方案是一套面向细胞、组织等大尺度生物样品的三维结构与动态信息获取的平台型方案，实现了从数据采集到三维重构的全流程闭环。可提供多条技术路线，可根据需求灵活选择，配套多语言界面自动化工作流及集成式生物AI算法，让体电镜操作“开箱即用”。
原位加热芯片
- 控温精度高，温度均匀性好
- 红外辐射少，高温下分析更稳定
- 温控范围广，室温~1100℃
- 可兼容国仪SEM,FIB,进行原位EDS,EBSD测试
原位力学
在纳米精度下实时捕捉材料受热(-170~1200℃)或受力时的微观演变：晶界滑移、裂纹扩展、相变轨迹，突破传统静态表征局限。同步关联温度-应力-结构响应（如高温蠕变中位错增殖、拉伸下界面脱粘），揭示材料在真实服役环境中的失效机制。为航空热障涂层脱落、柔性电极断裂、生物植入物腐蚀等场景提供微观级失效证据，加速高性能材料设计与寿命预测。
- 动态高分辨观测
- 多场耦合关联
- 工业-科研双驱
4D-STEM
- 高空间分辨率
- 低束流损伤
- 多维度分析
- 数据灵活性高
8英寸晶圆全尺寸加工
聚焦离子束电子束双束扫描电镜广泛应用于半导体行业与科研领域，搭载150mm大行程样品台，可实现8英寸晶圆的全尺寸加工与观测。该方案在半导体制造过程中广泛应用于晶圆缺陷检测、失效分析与工艺优化，助力提升制造良率与产品性能。
产品参数
| 关键参数: | 电子枪类型 | 肖特基场发射电子枪 |
| 分辨率 | 0.5 nm @ 15 kV，SE | |
| 0.8 nm @ 1 kV，SE | ||
| 0.7 nm @ 1 kV，SE (样品台减速) | ||
| 1.0 nm@0.5 kV，SE | ||
| 1.9 nm@15 kV, 5 nA，WD=8.5 mm | ||
| 0.4 nm@30kV，STEM | ||
| 加速电压 | 20 V ~ 30 kV | |
| 放大倍率 | 1 ~ 2,500,000x | |
| 电子束流 | 1 pA~50 nA (100 nA可选) | |
| 位移台(大行程可选): | 位移台类型 | 五轴机械优中心位移台 |
| 探测器: | 镜筒内电子探测器(Inlens) | ● |
| 旁侧电子探测器 (ETD) | ● | |
| 插入式背散射电子探测器 (BSED) | ○ | |
| 插入式扫描透射电子探测器 (STEM) | ○ | |
| 能谱仪 (EDS) | ○ | |
| 背散射衍射 (EBSD) | ○ | |
| 扩展: | 样品台减速模式 | ○ |
| 样品交换仓 | ● | |
| 旋钮板&轨迹球 | ● | |
| *可接受微定制服务 | ● 标配 ○ 选配 |
